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株式会社大興製作所
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実験用 窒化アルミニウム基板(AlN基板)

窒化アルミニウム(AlN)は、熱伝導性、放熱性、絶縁性、耐熱衝撃性に優れ、結晶成長実験用基板材料、パワーデバイス用基板材料や高集積化した半導体の放熱板などの用途で利用が拡大しています。
大興製作所では各種実験で扱いやすい10mm角サイズの窒化アルミニウム基板(AlN基板)を各セット枚数ごとにリーズナブルな価格で提供しています。

サイズ: □10 x 0.5 t(mm)

納期 : 最短3日で出荷対応
※通常在庫品ですが、ご注文時点での在庫状況によります。
※標準品以外のサイズ、厚み、形状にも対応していますのでお気軽にお問合せください。

材質

AlN-170(窒化アルミ熱伝導率170Watグレード)

 

価格

サイズ 枚数 価格(税抜) 購入
□10 x 0.5 t(mm) 5 9,800
10 19,000
50 45,000
100 82,000

 

◆収納ケース

  下記ケースに収納し、割れないよう梱包の上、納品いたします。

 

用途

・パワートランジスタモジュール基板
・レーザーダイオード用マウント基板
・電気回路、チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜形成
・GaN、AlGaNなどエピタキシャル成長実験用
・半導体用放熱基板、薄膜回路基板

 

仕様
特性 ALN-170
熱伝導率 W/m・K(RT) 170
熱放射率 (100℃) 0.93
熱膨張係数 10-6/℃(RT~400℃) 4.5
絶縁抵抗 Ω・cm(RT) >1013
絶縁耐圧 kV/(RT) 15
誘電率 (1MHz) 8.8
誘電体損失 10-4(1MHz) 5
曲げ強度 kgt/㎟ 35
密度 g/㎤ 3.32
Y % 3.5
O % 1.5
金属不純物 ppm <500