シリコン基板は半導体材料として優れた特性を持ち、ダイオードなどの電子デバイスを作成するために広く使用されています。
また、赤外（IR）用途でも利用可能なリーズナブルな材料でもあり1.2um から 7um までの透過率に優れます。
大興製作所では角形状、ウェハー形状を標準品として取り扱っているほか、サイズ、オリフラ、ノッチなどの加工カスタマイズも対応しております。
標準品として正方形タイプ／ウェハータイプがございます。
【注意事項】
※切断面に約20度程度の傾きがあります。
※切断面に0.1ｍｍ以下のチッピングがあります。
【使用例】
・赤外光（IR）の透過用窓材、赤外光学デバイス材料
・半導体デバイス（トランジスタ、ダイオード、集積回路など）の試作や研究
・各種素子（センサーやMEMS、光素子など）の評価
・電子の伝導性や電子状態、磁気効果などの研究
サイズ | 研磨 | 面方位 | 伝導型 | 製造方法 | セット枚数 | 価格 | Webショップ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
3インチ(直径76.2±0.63mm)厚み381±25㎛ | 片面ミラー(鏡面研磨) | ＜100＞ | N型 | CZ法 | 25 | ¥92,800(税込 ¥102,080) | |
4インチ(直径100.0±0.5mm)厚み520±25㎛ | 片面ミラー(鏡面研磨) | ＜100＞ | N型 | CZ法 | 25 | ¥92,800(税込 ¥102,080) | |
6インチ(直径150.0±0.5mm)厚み675±25㎛ | 片面ミラー(鏡面研磨) | ＜100＞ | N型 | CZ法 | 25 | ¥117,800(税込 ¥129,580) |
※クリーン梱包です。
【使用例】
・半導体デバイスの開発
・マイクロエレクトロニクス実験
・ナノテクノロジー研究
・薄膜研究
・MEMS研究
【使用プロセス例】
・フォトリソグラフィー
・イオン注入、エッチング
・微細加工
・化学気相成長(CVD)、物理気相成長(PVD)
・スパッタリング
・エピタキシャル成長
φ12インチ（φ300mm）までのシリコンウェハに座グリ加工を施し、ラボテストや評価を行うためのホルダーで、製膜したシリコンウェハを1枚使うことなく、カットサンプルを利用することで評価におけるコストダウンを実現します。
3・4・6・8・12インチのシリコンウェハに対応
4インチタイプは下記の弊社提携サイトで購入いただけます。
基板ホルダー（4インチシリコンウェハーベース） ※研究開発、工業用品のネット販売 ラボマイスター
▪製品名 基板ホルダー（4インチシリコンウェハーベース）
▪サイズ ベースウェハー φ100×0.525（mm）
座グリ部分 10.5×10.5×深さ0.3（mm）
座グリ部にシリコンウェハや各種基板をはめ込み、各プロセス処理を行います。
⇒4～6インチ…研究開発機関様向け
⇒8～12インチ…装置メーカー様向け
※加工形状などについてご要望があれば、お知らせください。
